15亿博世拟收购美国一芯片制造商
4月26日,据博世消息,其将收购位于加利福尼亚州罗斯维尔的美国芯片制造商TSI半导体公司的资产,以扩大其碳化硅芯片(SiC)的半导体业务。
图源:博世
该公司拥有 250 名员工,是专用集成电路 (ASIC) 的代工厂。目前,它主要开发和生产 200 毫米硅晶圆上的大量芯片,用于移动、电信、能源和生命科学行业的应用。
这项收购包括在未来几年投资15亿美元,以升级TSI半导体在加州Roseville的生产设施。从2026年开始,第一批芯片将在基于碳化硅的200毫米晶圆上生产。
博世管理委员会主席 Stefan Hartung 博士说:“通过收购 TSI Semiconductors,我们正在一个重要的销售市场建立 SiC 芯片的制造能力,同时也在全球范围内增加我们的半导体制造。罗斯维尔现有的洁净室设施和专家人员将使我们能够更大规模地制造用于电动汽车的 SiC 芯片”。
汽车行业对芯片的需求仍然很高。碳化硅芯片市场也在继续快速增长——平均每年增长 30%。这种增长的主要驱动力是全球电动汽车的繁荣和发展。在电动汽车中,SiC 芯片可减少高达 50% 的能源消耗,从而实现更远的续航里程和更高效的充电。它们安装在这些车辆的电力电子设备中,可确保车辆一次充电即可行驶更长的距离——平均而言,可能的行驶距离比硅基芯片高 6%。
博世和TSI半导体公司没有透露收购的条款,这项收购还需要得到监管部门的批准。博世表示,此次收购将加强其国际半导体制造网络。