在手机市场的博弈中天玑与骁龙如同两位高手每一代产品都像是一场精彩纷呈的对决就如复旦教授攻克3nm芯片
在科技的前沿，半导体领域正经历着一场史诗般的变革。随着摩尔定律即将面临物理极限的挑战，全球各大巨头如台积电、三星、ASML等，以及相关研发团队，都在不断探索新的技术路线，以解决这一难题。其中，我国在新材料和晶体管技术方面已经取得了领先全球的成果。
碳基晶圆的生产是这些创新之一，这项技术已被我国掌握，为芯片制造业开辟了一条新的道路。而改进晶体管技术则是另一条关键路径。传统FinFET晶体管技术虽为行业提供了强有力的支持，但随着制程微缩至3nm以下，其发展潜力受到了限制。因此，相关企业或团队开始寻求更高效能、更低功耗的新型晶体管设计。
12月17日，一则令人振奋的消息从快科技传来：复旦大学微电子学院宣布，该校周鹏教授团队成功攻克难题，在3nm芯片关键技术上取得了重大突破。这一成果不仅显示出国产芯片制造业正在迈向前行，也为国际半导体大会增添了一抹中国红。
据悉，周鹏教授带领的小组专注于具有重要应用需求但仍处于研究阶段的3-5nm节点晶体管技术。在此基础上，他们验证了双层沟道厚度分别为0.6/1.2nm的围栅多桥沟道（GAA）晶体管，并实现了低泄漏电流与高驱动电流同时存在。这一创新的GAA结构相比传统FinFET，不仅提升了性能，还降低了成本，为未来可持续发展奠定基础。此前的数据显示，这种设计可以达到400%以上对普通MoS2晶体管驱动电流的大幅提升，同时漏电流减少两倍，是当前最具前瞻性的解决方案之一。
这意味着GAA技无疑将成为推动摩尔定律延续到5nm以下工艺节点的一把钥匙。在这个过程中，我们看到三星和台积电都已经引入GAA技術，而后者计划2022年投产其量产版本。而中芯国际尽管还未采用这种新手段，但梁孟松透露，该公司正在展开针对5nm和3nm工艺八大关键项工作，只待EUV光刻机到货便可进一步推进。
总之，从目前的情况看，即使国内尚未完全赶超海外及台湾企业，但国家共同努力下，国产芯片明天仍然充满希望。
