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重磅中芯国际N1工艺芯片流片成功

10月11日,据珠海特区报近日报道称,芯动科技已完成全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试,所有IP全自主国产,功能一次测试通过。


“N+1”工艺是中芯国际在第一代先进工艺14nm量产之后的第二代先进工艺的代号。


根据中芯国际联席CEO梁孟松博此前公布的信息显示,N+1工艺和现有的14nm工艺相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,逻辑面积缩小了63%,SoC面积减少了55%。从逻辑面积缩小的数据来看,与7nm工艺相近。

梁孟松博士也表示,N+1代工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺非常相似,但性能要低一些(业界标准是提升35%),所以中芯国际的N+1工艺主要面向低功耗应用的。

而在N+1之后,中芯国际还会有N+2,这两种工艺在功耗上表现差不多,区别在于性能及成本,N+2显然是面向高性能的,成本也会增加。

在此前公布的2020年上半年财报当中,中芯国际就曾表示,第二代先进工艺(N+1)进展顺利,已进入客户产品验证阶段。

随后,在今年9月下旬,中芯国际再度对外回应称,第二代FinFET N+1工艺已经进入客户导入阶段,有望于2020年底小批量试产。

自2019年开始,芯动科技在中芯国际“N+1”工艺尚待成熟的情况下,技术团队全程攻坚克难,投入数千万元进行优化设计,其基于中芯国际“N+1”制程的首款芯片经过持续数月、连续多轮的测试迭代,成功助力中芯国际突破“N+1”工艺良率瓶颈。

据了解,芯动是中国一站式IP和芯片定制生态赋能型领军企业。目前的产品有IP方案、定制芯片和数字加密服务器三种类别。目前已实现从180nm到5nm工艺高速混合电路IP核全覆盖,且所有IP均自主可控。在芯片定制方面,涵盖了从55nm到7nm先进工艺。

芯动科技与全球知名代工厂已有多年国产IP生态共建的合作,在各先进工艺中规模IP授权和定制批量生产高端SOC,包括GDDR6/Chiplet/Serdes等先进技术规模量产,连续多年获得中芯国际“最佳IP合作伙伴”奖。

今年6月,芯动科技宣布基于中芯国际14nm工艺的多款高性能国产自主可控高速接口IP在国内主流客户SOC产品上,一次验证成功,进入商用量产。


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