Meta展示创新3D AR芯片能效与性能大幅提升
2月23日消息，据外媒IEEE Spectrum报道，meta在最近的IEEE ISSCC国际固态电路会议上大放异彩，展示了一款采用创新3D设计的增强现实(AR)芯片原型。这款原型芯片在能效和性能上均实现了显著的提升，为AR眼镜等可穿戴设备的发展注入了新的活力。
据了解，meta此次展示的AR芯片原型来源于其AR眼镜项目Project Aria。由于AR眼镜需要随身携带且体积较小，因此对芯片在能效和性能方面的要求极高。为了满足这些需求，meta的研发团队采用了先进的3D设计技术，将芯片分为上下两部分，并通过台积电SoIC高级封装技术将它们面对面地混合键合在一起。
据了解，这款原型芯片的每个部分尺寸为4.1x3.7mm，下部包含4个机器学习计算内核和1MB本地内存，而上部则配备了3MB内存。通过采用台积电SoIC技术，芯片实现了2μm的凸块间距，尽管并未完全发挥该技术的潜力，但两层芯片之间仍然实现了33000个信号连接和600万个电源连接。此外，在下部芯片的底部，还采用了TSV硅通孔技术来实现电力输入和信号传出。
meta表示，通过3D设计技术，这款芯片能够在AR眼镜狭小的PCB空间中提供更高的算力和更低的能耗。实验数据显示，该芯片上下部分间数据传递的功耗仅为每字节0.15皮焦耳(pJ)，与同一芯片上的数据传递功耗相当。
在手部跟踪方面，与2D芯片相比，使用3D芯片的方案能够同时跟踪两只手的动作，并且在能耗和速度方面均提升了40%。此外，在图像处理方面，3D芯片技术也展现出了显著的优势：它能够在相同功耗下处理全高清(FHD)分辨率的图像数据，而2D芯片则只能应对压缩图像。这些提升为AR应用的发展带来了更多可能性和挑战。
