中国科大参与制定的半导体线宽测量标准正式发布
随着社会的发展，中国与世界的联系愈加紧密。无论是市场一体化，还是经济化的逐步深入，都表明中国必须更加积极主动的融入世界经济，而在这一过程中，参与制定规则不仅是提升地位、彰显国家强盛的一种重要手段，更能有效推动中国的对外贸易发展，及保障本国安全、保护消费者权益。 为什么这么说呢？举个简单的例子，近日我国一批水果就因为不符合欧盟食品安全标准被警告通报，还有一批酱油被拒绝入境。技术壁垒作为一种正当合法的壁垒，影响着贸易的进行。因此，我国在开展对外交流的同时，也需要积极参与到标准的制修订当中去，提升我国在交往中的话语权。 2020年3月6日，中国科学技术大学传来好消息称，标准化组织(ISO)正式发布了一项由中国科技大学技术大学物理学院和微尺度物质科学国家研究中心丁泽军团队主导制定的标准：“基于测长扫描电镜的关键尺寸评测方法”(Microbeam analysis — Scanning electron microscopy — Method for evaluating critical dimensions by CD-SEM (ISO 21466))。据了解，该项标准属于微束分析领域，是半导体线宽测量方面的标准，也是半导体检测领域由中国主导制定的标准。 半导体行业的发展日新月异，对集成电路器件加工尺寸的控制也要求日趋精细，其中纳米尺度线宽测量的精准性直接决定着器件的性能，纳米器件尺度的准确和精确(精度<1 nm)测量技术对半导体行业的发展起着至关重要的作用。目前，人们已经发展了多种测量技术手段，如原子力显微镜、透射电子显微镜、扫描电子显微镜和测长扫描电镜(CD-SEM)等。 丁泽军团队发展了先进的用于扫描电子显微术和表面电子能谱学的Monte Carlo模拟计算方法，并结合了“基于模型数据库”(MBL)方法，提出了“基于测长扫描电镜的关键尺寸评测方法”的ISO标准(IS)。 标准指定了利用CD-SEM成像表征刻蚀线宽的结构模型及其相关参数、Monte Carlo模拟模型和成像扫描线计算方法、图像匹配拟合程序和CD参数定值法等内容。与传统的方法相比，该方法能够给出准确的CD值，并且把线宽测量从单一参数扩展到包含结构形貌特征的信息，适用于如晶圆上的栅极、光掩模、尺寸小至10 nm的单个孤立的或密集的线条特征图案。该标准不仅为半导体刻蚀线宽的CD-SEM准确评测确定了行业标准，也为一般性纳米级尺寸的测量法提供了参考。 半导体行业是近些年快速发展的一个领域，其科研价值和经济价值都不容小觑，因此受到了诸多国家的关注。对我国来说，参与制定半导体相关的标准，不仅有助于促进半导体评测技术的发展，也有利于提升我国在半导体行业的影响力和竞争力。资料来源：中科大
