复旦教授智光破浪3nm芯片之星闪耀国产芯霸未来可期

近年来，半导体领域陷入摩尔定律即将面临物理极限的瓶颈。全球各大科技巨头，如台积电、三星、ASML等，以及相关研发团队，都在试图从新的角度革新半导体芯片制造业。其中，一种重要的方法是尝试新的材料取代硅，这一技术目前我国已经掌握领先全球的技术，并实现了碳基晶圆的生产。

除了材料上的创新，还有一种让芯片性能得到高度提升的方法，那就是改进晶体管技术。传统的FinFET晶体管技术在制程不断微缩的情况下，已经难以有新突破，因此相关企业或团队展开了对晶体管新型技术的研发探索。

12月17日快科技传来消息，我国复旦大学微电子学院宣布，该校周鹏教授的团队成功攻克难题，在3nm芯片关键技术上取得重大突破。这一成果不仅为国产芯片行业注入了新的活力，也为推动全球半导体产业发展提供了强有力的支撑。

据悉，周鹏教授带领的小组针对具有重大需求的3-5nm节点晶体管技术，验证了双层沟道厚度分别为0.6/1.2nm的大围栅多桥沟道晶体管，并实现低泄漏电流与高驱动电流的一致性。此前，这类多桥沟道晶体管简称GAA（Gate-All-Around）技术，其相比传统FinFET结构能够更好地控制栅和漏路之间界面，从而提高性能和降低功耗。

数据显示，由周鹏教授团队设计并制造出的超薄围栅双桥沟道晶体管其驱动能力大幅提升，与普通MoS2结口晶体管相比实现了400%以上的大幅增强，而且漏电流降低到了两个数量级。这意味着GAA结构可以让摩尔定律在5nm以下精细工艺节点上延续下去，为后续更小尺寸工艺提供坚实基础。