巨哥科技为半导体检测和工艺控制提供了多种技术手段，如膜厚测量、等离子监控、化学成分分析、温度监控、键合对准、缺陷和失效分析等。在国产化趋势下，我们欢迎用户提出需求，进一步为行业开发各类急需的光电产品。以下是部分现有产品。
1. 光谱仪
光谱技术在光学测量（椭偏仪、膜厚仪）、等离子刻蚀工艺检测（等离子状态监测、刻蚀终点监测）、湿法刻蚀过程监测中具有多种应用。
光谱仪是椭偏仪和膜厚仪的核心部件，用于材料光学参数测定以及薄膜厚度测量。巨哥科技的光谱仪覆盖可见光、近红外、短波红外波段，适用范围广，灵敏度高，提供通用软硬件开发接口，适合集成。
在刻蚀、沉积、去胶等工艺中，等离子体广泛存在。使用光谱仪实时测量等离子的发射光谱，可以在线监控其成分和状态，获得一致性或刻蚀终点等信息，实时控制工艺过程。此外，在薄膜沉积或刻蚀工艺中检测样品的反射光谱，可实时获取薄膜厚度、表面状态等信息，及时控制进程。巨哥科技的光栅光谱仪响应时间可达微秒级，可提供实时反馈。
在湿法工艺中，化学溶液池的成分需要及时的严格监控，稳定的化学成分保证了工艺过程的稳定性和一致性。与传统的成分监控手段（如电导率监控）相比，采用SG1700光纤光谱仪监测溶液的光谱信息，可实现溶液中各种成分含量的无接触实时监控，响应速度快。搭配巨哥科技的多路复用器，使用一台光谱仪即可实现多点同时在线监测。
1. 短波红外相机
半导体硅材料由于其能带特征能被波长1200nm以上的短波红外光穿透。因此，短波红外（900~1700nm）相机可对硅锭和晶片的缺陷或裂纹进行检测。在集成电路制造过程中，短波红外相机可以穿透硅片检测内部结构，或透过硅片看到对准标记，在键合时进行硅片间的对准。在光伏检测领域，隐裂等缺陷在特定电激发或光激发的条件下会发出短波红外光，即电致发光（EL）或光致发光（PL），用短波红外相机进行观测分析最为理想，信噪比高，缺陷易于捕捉。巨哥科技的短波红外相机SW640灵敏度高、响应速度快、分辨率高，适用于各种短波红外检测场合。
1. 中波测温探头
中波测温探头（单点或多路）适用于300~2000℃工艺过程中非接触的晶圆温度监测。巨哥科技为不同应用场合和样品材料提供不同波长的测温探头。如3.3μm探头，可从背面透过玻璃衬底测量衬底上多层复合薄膜的温度，适用于玻璃衬底导电膜TCO以及其他薄膜的温度测量，也可用于需要透过石英玻璃窗口，测量真空腔体内部温度的非接触测温场合。5.2μm探头可直接测量玻璃的表面温度，应用于薄膜太阳能板的玻璃衬底温度监控，以及其他以玻璃为衬底的器件的衬底温度监测。测温探头的特点是可靠性高、响应快、实时反馈、测温波段可选、易于与设备集成。
PS300中波测温探头
1. 短波红外热像仪
在单晶炉、外延片生长、高温沉积或刻蚀等设备中，对晶体和晶圆的温度控制至关重要，并且要求温度分布高度均匀。半导体工艺过程需要在密闭腔体内进行，使用玻璃窗口与空气隔绝。传统的长波红外热像仪检测7~15μm的红外线，无法透过玻璃窗口进行观测。巨哥科技的短波红外热像仪感应0.9~2.5μm波长的红外线，可透过玻璃窗口实时观测目标，获得全画面的温度分布信息。相比长波热像仪，短波热像仪受目标的表面状态和发射率影响小，测温准确度更高，适合检测温度较高的目标场景。
2. 中长波红外热像仪
中长波热像仪在半导体领域常用于晶圆、芯片、封装体的热图分析和失效点定位。巨哥科技提供一系列响应波长、灵敏度和分辨率的中长波红外热像仪，满足不同场合的成像和测温需求。F6非制冷长波红外热像仪在0~500℃宽测温范围内测温准确度优于±0.7℃/0.7%。在线atm)，或在高能激光（<2μm）环境中，F6均能准确测温。物体在低温时的辐射能量很低，普通热像仪的测温误差大幅增加，F6在线℃甚至更低温度的测温。F7中波制冷型热像仪采用InSb探测器，灵敏度优于20mK，测温稳定性优于±0.2℃/0.2%，响应时间可达0.4μs，全画面帧率高达130Hz，窗口模式可达4000Hz，配微距镜头物方分辨率可达3μm，适用于各种更高要求的成像和测温需求。
F7中波制冷型热像仪
1. 锁相红外检测
由于硅片具有良好的导热性，一些微小缺陷导致的温差极为微小，常规热像仪无法观测到。锁相红外成像技术通过周期性地调制信号，采集周期内不同时间点的红外图像，获得幅值、相位等信息，信噪比相比相机本身有数量级的提高，可分析样品内部的热源位置和热传导特性。锁相红外成像的灵敏度大幅提高，温度分辨率可达1mK，在半导体行业被广泛用于芯片失效和材料缺陷分析，以及太阳能板缺陷（暗电流）检测。通过锁相热图，还可消除发射率引起的图像对比，更好发现缺陷。巨哥科技的热像仪、短波相机和其他产品均可支持锁相技术，满足严苛和高挑战的应用需求。